By 工業應用部林志諺 編輯：楊雅棠

晶片越小、越薄，都有助於最終的電子產品朝向輕薄、短小的方向設計，也能搭載更多功能。因此半導體製程中，晶圓薄化（wafer thinning）的需求越來越高。

半導體製程受到電子及材料的物理極限所致，3D IC，也就是三維晶片應運而生，將個別晶片堆疊成有用的電路晶片，將傳輸訊息縮到最短，速度更快、面積也大幅下降。但晶圓必須有效薄化，才能讓3D IC的佔位面積進一步微縮。

晶圓薄化製程是透過研磨與蝕刻將晶圓薄型化的過程，是半導體後段製程之一。現行的薄化技術甚至已可將矽層薄化到100um內，厚度堪比一根頭髮的粗度。但也因為晶圓薄化後難免會面臨破片或是裂痕等損傷的問題。除了致力於優化製程提高良率外，及早挑出不良品避免增加後續製造成本也是重要的一環。然而薄化後過於接近金屬層，觀察時可能難以判斷是研磨的磨痕還是裂痕。使用Evident |Olympus特殊紅外線（IR）鏡頭特有的矽層折射率消除環調整，加上高倍景深分析，便可判斷是晶片裂痕還是表面磨痕。

薄化後的晶圓難以判斷是磨痕還是裂痕（圖左），但特殊紅外線（IR）鏡頭調整後可淡化磨痕，更易於判斷（圖右）。

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